Компания NEO Semiconductor объявила о предстоящей демонстрации трёх инновационных технологий, которые могут произвести настоящую революцию в производстве оперативной памяти DRAM. Разработки обещают создать самую плотную, быструю и даже частично энергонезависимую память в мире. Впервые концепция 3D DRAM была представлена в августе 2023 года, а теперь эволюционировала в три различные версии технологии. Остается только понять почему несмотря на потенциальный прорыв, ведущие мировые производители памяти пока воздерживаются от внедрения этой разработки.
Самая эффективна оперативная память
Ключевой инновацией NEO Semiconductor стало вертикальное размещение ячеек памяти DRAM, аналогично технологии, применяемой при производстве флеш-памяти 3D NAND. Это решение позволяет достичь беспрецедентной плотности хранения данных. Разработчики заявляют о возможности создания чипов DRAM с плотностью 512 Гбит, что более чем в 10 раз превышает показатели современных массовых образцов памяти.
Не забывайте о нашем Дзен, где очень много всего интересного и познавательного!
Помимо увеличения ёмкости, повышение плотности памяти ведёт к существенному снижению относительного энергопотребления. В текущих условиях это преимущество не менее важно, чем наращивание объёмов памяти.
На предстоящей выставке IEEE, которая пройдёт с 18 по 21 мая 2025 года в Монтерее (Калифорния, США), компания NEO Semiconductor представит три новые архитектуры ячеек DRAM, оптимизированных для производства стековым методом:
- Ячейки 1T1C (один транзистор и один конденсатор) — классическая архитектура DRAM
- Ячейки 3T0C (три транзистора без конденсатора)
- Ячейки 1T0C (один транзистор без конденсатора)
Примечательно, что все или некоторые из этих архитектур используют для транзисторных каналов материал IGZO (оксиды индия-галлия-цинка), ранее известный по применению в тонкоплёночных транзисторах для дисплеев с высоким разрешением, но низким энергопотреблением.
Что такое IGZO в оперативной памяти
Материал IGZO, который активно разрабатывала компания Sharp, обеспечивает повышенную мобильность электронов без увеличения рабочих токов. Логично предположить, что оперативная память с IGZO-транзисторами унаследует эти качества, предлагая улучшенные показатели быстродействия и энергоэффективности.
По данным разработчиков, ячейки 1T1C и 3T0C способны сохранять информацию без подачи питания до 450 секунд, что значительно снизит энергозатраты на регенерацию данных. Скорость доступа к такой памяти может достигать впечатляющих 10 наносекунд.
Когда появится новый тип оперативной памяти
Несмотря на революционные характеристики, пока все данные остаются расчётными. Первые реальные образцы новой памяти ожидаются только в 2026 году. Для массового внедрения технологии необходим интерес со стороны крупных производителей, таких как Samsung, SK Hynix или других лидеров индустрии.
В условиях растущего спроса на вычислительные мощности для искусственного интеллекта, высокопроизводительных вычислений и других требовательных задач, мир как никогда нуждается в высокоплотной и экономичной оперативной памяти. Технология NEO Semiconductor может стать именно тем прорывом, который ждёт индустрия.
