По сообщениям отраслевых источников, компания Samsung отложила запуск производства 3-нанометровой полупроводниковой продукции, в которой используются транзисторы Gate All Around FET (GAAFET). Сам производитель называет этот технологический этап 3GAE. Хотя
По мнению источника, это означает, что Samsung вслед за Intel начнет значительно отставать от TSMC в области технологий. Тайваньский производитель полупроводниковой продукции рассчитывает к 2024 году осваивать нормы «2-нанометрового класса», используя многократную экспозицию EUV, кобальтовые контакты и внутренние соединения, легированные германием каналы и другие инновации собственной разработки. В связи с тем, что развитие технологий Intel застопорилось на этапе 10 нм, Samsung сейчас является единственной жизнеспособной альтернативой TSMC в производства передовых логических микросхем.
